Кубанский Государственный Университет

Вход
Логин 
Пароль 
 регистрация

Кафедра радиофизики и радиоэкологии
    Кафедра радиофизики и радиоэкологии ведет свою родословную, как отмечалось выше, от кафедры молекулярной физики, основанной в 1971 году и возглавленной И.М. Стояновским, учеником профессора Харина, основателя исторически самой первой научной школы на факультете, и кафедры физики полупроводников, созданной в 1984 году и возглавляемой до 2002 г. профессором Б. С. Муравским.

Научная школа профессора Харина А.Н.

    Алексей Николаевич Харин окончил физико-математический факультет Краснодарского пединститута в 1926 г. и проработал в этом институте на разных должностях на кафедрах общей химии и общей физики. В 1943 г. защитил докторскую диссертацию по химии. Он состоял в должности профессора кафедры общей физики с 1951 г. по 1954 г., после чего перевелся по конкурсу в Таганрогский радиотехнический институт. Его учениками и сотрудниками были И. Е. Ампилогов и Е.М. Бурцева, к его научной школе принадлежал С. Н. Шевченко. Исследования школы А. Н. Харина были посвящены изучению процессов диффузии и адсорбции методом меченых атомов.

Научная школа профессора Муравского Б.С.

    Основным достижением доктора физико-математических наук, профессора Бориса Семеновича Муравского (1927 — 2002), стало создание транзисторной структуры с распределенным эмиттером, явившейся принципиально новым элементом функциональной электроники. Подавляющее большинство полупроводниковых приборов (99%) , определяющих современный научно-технический прогресс, работает на основе управления возникающими в полупроводниках потенциальными барьерами для носителей тока (контакт металл - полупроводник, р-n -переходы, структура металл-окись-полупроводник).
    При подключении барьера так, чтобы внешнее поле совпадало по направлению с полем барьера, барьер снижается, и ток резко возрастает, при подключении в обратном направлении барьер повышается и становится слабопроницаемым для носителей.
    Профессором Б. С. Муравским был разработан новый метод управления потенциальным барьером, возникающим в приповерхностном слое полупроводника. Поскольку барьер образуется зарядовой неоднородностью, при её "рассасывании" полем барьер может резко возрастать. Зарядовые динамические неоднородности составляют основу разработки новых функциональных приборов, действие которых базируется на новых явлениях в полупроводниках. Идея использования динамических неоднородностей в качестве носителя и обработки информации привела к формулированию альтернативного пути в развитии микроэлектроники - функциональной электроники.
    Новый метод управления барьером за счёт "рассеивания" электрическим полем образующей барьер неоднородности наиболее эффективно реализуется в транзисторных структурах с распределённым эмиттером.
    На основе рассматриваемых структур на кафедре физики полупроводников разработан ряд новых приборов, позволяющих эффективно с усилением по мощности в 103 раз преобразовывать мощность светового и СВЧ - излучений, постоянное напряжение, сопротивление, емкость в последовательность импульсов, которая либо легко преобразуется в машинный код, либо может быть непосредственно использована в цифровых устройствах обработки информации.
    По материалам исследований опубликовано около 100 работ и получено 7 авторских свидетельств, защищены 1 докторская и 6 кандидатских диссертаций.

Другие кафедры:
  -Кафедра общей физики и информационных систем 
  -Кафедра современных технологий обучения 
  -Кафедра экспериментальной физики 
  -Кафедра оптоэлектроники  
  -Кафедра радиофизики и радиоэкологии 
  -Кафедра теоретической физики и компьютерных технологий